
台积电强调,CoWoS及整合扇出型封装(InFO)仍是2.5D IC封装,为了让芯片效能更强,芯片业花了相当的时间,开发体积小、功能更复杂的3D IC,这项技术需搭配难度更高的硅钻孔(TSV)技术,以及晶圆薄化、导电材质填孔、晶圆连接及散热支持。
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根据协议内容,格芯将为安森美制造300mm 晶圆。同时安森美将转移并其功率分离式元件晶圆制造能力至格芯的Fab 10。在此期间,格芯将与客户密切合作,转移多种技术到德国德勒斯登、新加坡和马耳他的300mm的工厂,格芯将继续拥有和营运该设施。
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业界认为,台积电正式揭露3D IC封装迈入量产时程,意味全球芯片后段封装进入真正的3D新纪元,台积电进入先进制程后,将结合先进后段封装技术,对未来接单更具优势,将持续维持业界领先地位。
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